Intel，14nmプロセス世代に向け米国内で製造施設を建設。予算50億ドル超

インテル コーポレーション、50 億ドル超を投資して米国アリゾナ州に製造施設を新設へ
配信元	インテル	配信日	2011/02/21

＜以下，メーカー発表文の内容をそのまま掲載しています＞

ニュース・ハイライト

• 50億ドル超を投資し、米国アリゾナ州に新規の半導体製造施設（ファブ）を開設
• 新設される「ファブ 42」は、世界最先端の半導体製造施設
• 数千人規模の建設関連雇用およびハイテク分野の常時雇用を創出

インテル コーポレーション（本社：米国カリフォルニア州サンタクララ）は、米国アリゾナ州に新設する半導体製造施設に 50 億ドル超の投資を行う計画を発表しました。今回の投資計画は、バラク・オバマ米国大統領が米国オレゴン州のインテルの施設に訪問した際に、インテル コーポレーション 社長 兼 CEO （最高経営責任者）のポール・オッテリーニが発表したものです。

アリゾナ州の新しい製造施設「ファブ 42」は、世界最先端の半導体製造施設となる予定です。新しいファブの建設は本年半ばより着工し、2013 年に完成する予定です。

インテル コーポレーション 上席副社長 兼 製造・サプライチェーン統括本部長のブライアン・クルザニックは「今回の投資は、インテルの製造ネットワークを将来の成長に備えるためのものです。このファブでは、最小サイズの 14 ナノメートル（nm）のトランジスターを製造できる最先端プロセス技術を稼動させる計画です。インテルにとって、製造技術は事業の基盤となるもので、顧客や消費者に最先端の製品を大量に供給することができます。製造における比類無い規模の投資は、インテルの業界におけるリーダーシップと技術革新を維持するためのものです」と述べています。

インテルは、売上の約 4 分の 3 を海外から得ていますが、マイクロプロセッサー製造の約 4 分の 3 を米国拠点で行っています。この新しいファブにより米国におけるインテルの製造能力はさらに強化されます。

新設されるファブの最先端 14nm プロセス製造技術により、インテルはより高性能で効率的なコンピューター・チップを製造することができます。ナノメートルとは、トランジスター技術の最小寸法です。1 ナノメートルは 10 億分の 1 メートルで、平均的な人間の髪の毛の太さの約 9 万分の 1 に相当します。

「これらの最先端のチップをベースにした製品は、ハイエンド・サーバーから薄型モバイル機器まで、様々なコンピューティング機器に最高水準の性能と電力効率を提供するでしょう」とクルザニックは述べています。

ファブ 42 は 300mm ウェハーによるコンピューター・チップ製造施設として建設されます。新たなファブの建設により数千人規模の建設関連の雇用とハイテク関連の常時雇用をアリゾナに創出する見込みです。

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→インテルによるニュースリリース