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Samsung,次世代GPU用DRAM「HBM2」の生産開始を発表。メモリ容量は1スタックで4GB,容量8GBも年内に
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印刷2016/01/19 19:02

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Samsung,次世代GPU用DRAM「HBM2」の生産開始を発表。メモリ容量は1スタックで4GB,容量8GBも年内に

 2016年1月19日,Samsung Electronics(以下,Samsung)は,広帯域メモリインタフェース技術「High Bandwidth Memory」の第2世代(以下,HBM2)に対応するDRAMパッケージの生産開始を発表した。現行世代のHBM1 DRAMは,1スタックあたりのメモリ帯域幅が128GB/s程度であったのに対して,HBM2 DRAMは256GB/sと,2倍ものメモリ帯域幅を実現するのが特徴だ。
 2016年登場予定であるNVIDIAの次世代GPU「Pascal」や,AMDの次世代GPUアーキテクチャ「Polaris」でも採用予定といわれるHBM2 DRAMの概要を簡単にレポートしよう。

Samsungが公開したHBM2 DRAM採用するプロセッサのイメージ(左)と,HBM2 DRAMのスタック構造(右)
Samsung,次世代GPU用DRAM「HBM2」の生産開始を発表。メモリ容量は1スタックで4GB,容量8GBも年内に

 SamsungのHBM2 DRAMは,20nmプロセスで製造され,「Buffer Die」と呼ばれる土台の上に,容量1GB(=8Gbit)の半導体ダイを4枚重ねる構造を採用しているという。そのため,1スタックでのメモリ容量は4GBとなる。メモリエラー回避機能の「ECC」(Error Correcting Code)にも対応しているとのことだ。
 HBM1 DRAMを採用しているAMD製GPUであるRadeon R9 Furyシリーズの場合,4GBのグラフィックスメモリ容量を実現するために,メモリ容量1GBのDRAMスタックを4つ使っていた(関連記事)。つまり,SamsungのHBM2 DRAMを使えば,1つのDRAMスタックで同容量を実現できるわけだ。
 NVIDIAはPascalのメモリ帯域幅が,1TB/sに達することを明らかにしているので,容量4GBのHBM2 DRAMを4スタック分,=16GBを搭載する計算になる。

 さらにSamsungでは,2016年中にメモリ容量8GBのHBM2 DRAMを生産することも予告しており,この8GB HBM2 DRAMをグラフィックスカードに使うことで,GDDR5 DRAMに比べて(おそらくはメモリ関連の基板面積を)95%以上の省スペース化を実現できると,Samsungでは主張している。
 HBM2 DRAMが生産に入ったということは,PascalやPolarisといった次世代GPU実現の鍵となる重要なコンポーネントの準備が整いつつあることを示しており,次世代GPU搭載グラフィックスカードが登場する日が,また一歩近づいたといえるだろう。

Samsungによる当該プレスリリース(英語)

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