Samsung，次世代GPU用DRAM「HBM2」の生産開始を発表。メモリ容量は1スタックで4GB，容量8GBも年内に

　2016年1月19日，Samsung Electronics（以下，Samsung）は，広帯域メモリインタフェース技術「High Bandwidth Memory」の第2世代（以下，HBM2）に対応するDRAMパッケージの生産開始を発表した。現行世代のHBM1 DRAMは，1スタックあたりのメモリ帯域幅が128GB/s程度であったのに対して，HBM2 DRAMは256GB/sと，2倍ものメモリ帯域幅を実現するのが特徴だ。
　2016年登場予定であるNVIDIAの次世代GPU「Pascal」や，AMDの次世代GPUアーキテクチャ「Polaris」でも採用予定といわれるHBM2 DRAMの概要を簡単にレポートしよう。

Samsungが公開したHBM2 DRAM採用するプロセッサのイメージ（左）と，HBM2 DRAMのスタック構造（右）

　SamsungのHBM2 DRAMは，20nmプロセスで製造され，「Buffer Die」と呼ばれる土台の上に，容量1GB（＝8Gbit）の半導体ダイを4枚重ねる構造を採用しているという。そのため，1スタックでのメモリ容量は4GBとなる。メモリエラー回避機能の「ECC」（Error Correcting Code）にも対応しているとのことだ。
　HBM1 DRAMを採用しているAMD製GPUであるRadeon R9 Furyシリーズの場合，4GBのグラフィックスメモリ容量を実現するために，メモリ容量1GBのDRAMスタックを4つ使っていた（関連記事）。つまり，SamsungのHBM2 DRAMを使えば，1つのDRAMスタックで同容量を実現できるわけだ。
　NVIDIAはPascalのメモリ帯域幅が，1TB/sに達することを明らかにしているので，容量4GBのHBM2 DRAMを4スタック分，＝16GBを搭載する計算になる。

　さらにSamsungでは，2016年中にメモリ容量8GBのHBM2 DRAMを生産することも予告しており，この8GB HBM2 DRAMをグラフィックスカードに使うことで，GDDR5 DRAMに比べて（おそらくはメモリ関連の基板面積を）95％以上の省スペース化を実現できると，Samsungでは主張している。
　HBM2 DRAMが生産に入ったということは，PascalやPolarisといった次世代GPU実現の鍵となる重要なコンポーネントの準備が整いつつあることを示しており，次世代GPU搭載グラフィックスカードが登場する日が，また一歩近づいたといえるだろう。

Samsungによる当該プレスリリース（英語）