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Intel&Micron,世界初25nmプロセスのNANDフラッシュを開発
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印刷2010/02/02 13:52

リリース

Intel&Micron,世界初25nmプロセスのNANDフラッシュを開発

25nmプロセス技術によるNANDフラッシュメモリ
配信元 インテル 配信日 2010/02/02

<以下,メーカー発表文の内容をそのまま掲載しています>

インテルとマイクロン
半導体業界最小最先端の25nmプロセス技術による
NAND型フラッシュメモリーを発表
世界初の25nmプロセス技術が、デジタル家電やコンピューティング機器向けに
コスト効率に優れたストレージを可能に

画像ギャラリー No.001のサムネイル画像 / Intel&Micron,世界初25nmプロセスのNANDフラッシュを開発

ニュース・ハイライト
  • インテルとマイクロンが世界初の25nm(ナノメートル)プロセス技術を開発
  • 25nmプロセス技術採用のフラッシュメモリーで、携帯音楽プレーヤー、メディア・プレーヤー、スマートフォン、ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)向けに、コスト効率に優れたストレージの大容量化を可能に
  • シングルチップのNAND型フラッシュメモリーで8Gバイト(GB)を実現

インテル コーポレーション(本社:米国カリフォルニア州サンタクララ)とマイクロン テクノロジー社(本社:米国アイダホ州ボイジー)は、世界初の25nm(ナノメートル)プロセス技術を採用したNAND技術を発表しました。
スマートフォン、音楽プレーヤーやメディア・プレーヤーなどデジタル機器や高性能ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)向けに、より優れたコスト効率の大容量ストレージを実現します。

NAND型フラッシュメモリーは一般消費者向けデジタル家電製品のデータやその他のメディアを記憶し、電源がオフの状態でも情報を保持することができます。NAND型フラッシュメモリーの微細化に向けた取り組みは、NAND技術の継続的な開発と新たな利用形態を加速します。25nmプロセス技術の最小のNAND型フラッシュメモリーは、世界最小の半導体技術でもあり、デジタル家電およびコンピューティング・アプリケーションの音楽、映像、およびその他のデータの大容量化を促進する技術的偉業を達成しました。

この最新技術は、両社の合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジーズ(IMFT)によって製造されたものです。25nmプロセス技術では1チップに8Gバイト(GB)の容量を集積することができ、小型化が進むデジタル機器向けに記録媒体の大容量化に対応します。8GB製品のダイサイズはコンパクトディスク(CD)の中央の穴より小さい167mm2(平方ミリ)で、記憶容量700Mバイトの一般的なCDの10倍以上のデータを記憶します。

NAND型フラッシュメモリーの研究開発に尽力するインテルとマイクロンはおよそ18カ月ごとに集積密度を倍増させ、より小型でコスト効率に優れた大容量の製品を実現します。インテルとマイクロンは2006年にIMFTを設立した後、50nmプロセス技術による製造を開始し、その後2008年に34nmプロセス技術での製造を開始しました。今回発表の25nmプロセス技術により、両社は業界で最小の半導体リソグラフィーの導入により、製造技術のリーダーシップをさらに高めます。

マイクロン テクノロジー社 メモリー部門担当副社長のブライアン・シャーリーは「最先端プロセス技術により半導体業界において先行することは、インテルとマイクロンにとって素晴らしい快挙であり、引き続きさらなる微細化を目指します。今回発表の製造技術は、私達のお客様にさらに高密度なメディア・ソリューションという大きな恩恵をもたらします」と述べています。

インテル コーポレーション 副社長 兼 NANDソリューション事業部長のトム・ランポーンは「IMFTへの継続した投資により、我々は最もコスト効率に優れ信頼性のあるNAND型フラッシュメモリーを実現する技術および製造におけるリーダーシップを強化します。今回の発表はコンピューティング向けソリッド・ステート・ドライブ(SSD)ソリューションの普及を加速するでしょう」と述べています。

25nmプロセス技術を採用した8GB製品は本日よりサンプル出荷を開始し、2010年第2四半期の量産出荷を予定しています。家電メーカーには、2ビット/セル多値セル(MLC)で最も高い集積度を実現した業界標準の薄型スモール・アウトライン・パッケージ(TSOP)に収まる複数の8Gバイト(GB)チップを積層することによりストレージ容量をさらに増加できます。今回発表の25nmプロセス技術による8GB製品はこれまでのプロセス技術に比べ、チップ数を50%削減し、さらに小型で高集積な設計およびコスト効率を実現します。例えば、256GBのソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の場合、従来64個のチップが必要でしたが、32個で実現でき、32GBのスマートフォンには4個、16GBのフラッシュカードメモリーにはわずか2個で実現可能になります。

関連リンク
以下のサイトでもインテルおよびマイクロン テクノロジー社の最新ニュースをご覧いただくことができます。
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