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SK Hynixが帯域幅16Gbpsの新世代グラフィックスメモリ「GDDR6」発表。「2018年のハイエンドグラフィックスカードに採用される」
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印刷2017/04/24 14:08

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SK Hynixが帯域幅16Gbpsの新世代グラフィックスメモリ「GDDR6」発表。「2018年のハイエンドグラフィックスカードに採用される」

 韓国時間2017年4月23日,半導体メーカーのSK Hynixは,新世代のグラフィックスメモリ「GDDR6 DRAM」(以下,GDDR6)を発表した。
 SK Hynixが「2Znm」と呼ぶ製造プロセス技術を用いて製造されるGDDR5は,メモリチップ1枚あたりの記憶容量が8Gbit(=1GB),信号速度(≒メモリバス帯域幅)でGDDR5 SGRAMの倍となる16Gbpsに達するのが特徴だ。同社によれば,2018年前半に登場するハイエンドグラフィックスカードがGDDR6を採用する予定とのことである。

SK Hynixが公開したGDDR6メモリチップのイメージ
画像集 No.002のサムネイル画像 / SK Hynixが帯域幅16Gbpsの新世代グラフィックスメモリ「GDDR6」発表。「2018年のハイエンドグラフィックスカードに採用される」

 GDDR6でSK Hynixは,信号の高速化だけでなく,動作電圧の低減も果たしたという。GDDR5を高速化したGDDR5Xでは,信号速度の高速化に伴う消費電力の増大が問題になっていたので(関連記事),ここに手を入れてきたのは妥当なところだと言えそうだ。
 SK Hynixの発表によると,GDDR6は,現行のGDDR5よりも動作電圧が10%低いとのことなので,1.2〜1.35V程度になっている可能性がある。

 なお,GDDR6の仕様は,メモリ技術の標準化団体であるJEDEC Solid State Technology Association(JEDEC)にて標準化作業を行っている最中とのこと。標準化が進展すれば,他のメモリチップメーカーからもGDDR6が供給されるようになるだろう。
 GDDR6を搭載する2018年のハイエンドグラフィックスカードは,どれくらいの性能を発揮するのか。今から楽しみだ。

SK Hynixによる当該プレスリリース(英語)


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