IntelとMicron，20nmプロセス技術に基づく128Gbit MLC NANDを発表

20nmプロセス技術に基づく128Gbit NANDフラッシュメモリ発表，20nmプロセス技術に基づく64Gbit NANDフラッシュメモリ量産開始
配信元	インテル	配信日	2011/12/07

＜以下，メーカー発表文の内容をそのまま掲載しています＞

※2011年12月6日に米国で発表されたプレスリリースの抄訳です。


●ニュース・ハイライト

• 20nmプロセス技術に基づく128GビットMLC NANDフラッシュメモリーは、従来の64GビットNANDフラッシュメモリーと比べ容量と性能が倍増。タブレット端末、スマートフォン、SSDや高性能なコンピューティング機器などに最適
• インテルとマイクロンは20nmプロセス技術に基づく64GビットNANDフラッシュメモリーの量産を開始。最先端NAND製造プロセス技術により引き続き業界をリード
• 業界初のモノリシック128Gビット・ダイは、指先サイズのパッケージに8個のダイを収めることで1テラビットのデータ記憶が可能--ますます高まる薄型製品への期待に応える新たなストレージ・ソリューション
• 20nmプロセス技術による革新的セル構造を初めて採用し、NAND型フラッシュメモリーで標準的なフローティング・ゲートの微細化の課題を克服

　インテル コーポレーション（本社：米国カリフォルニア州サンタクララ）とマイクロン テクノロジー社（本社：米国アイダホ州ボイジー）は本日、NAND型フラッシュテクノロジーで世界初となる、20ナノメートル（nm）プロセス技術に基づく128Gビット（Gb）のマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリーを発表しました。また両社は、20nmプロセス技術で64Gb NAND型フラッシュメモリーの量産も開始し、NANDプロセス技術におけるリーダーシップをさらに強化します。

　インテルとマイクロンの合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジー（IMFT）は、新規開発した20nmプロセス技術に基づく128Gb NAND型フラッシュメモリーのダイ8個を使用し、指先サイズのパッケージに収めることで、業界で初めて1テラビット（Tb）のデータ・ストレージを実現しました。IMFTの20nmプロセス技術に基づく64Gb NAND型フラッシュメモリーと比較して、2倍の容量と性能を提供します。この128Gb NAND型フラッシュメモリーは333M転送/秒を満たす高速のONFI3.0規格に準拠しており、タブレット端末、スマートフォン、大容量SSDなど、現在拡大する薄型でスタイリッシュな製品に向けて、費用対効果の高いストレージ・ソリューションを顧客に提供します。

　マイクロン テクノロジー社 NAND ソリューション事業担当副社長のグレン・ホークは、「ポータブル機器の小型化・薄型化が進むにつれてサーバーの需要も増加し、お客様は革新的な新しいストレージ技術とシステム・ソリューションを当社に期待しています。当社とインテルのコラボレーションは、今後もそのようなシステム構築に不可欠である優れたNANDテクノロジーと専門性をお届けします」と述べています。

　また両社は20nmプロセス技術において、従来のアーキテクチャーとは異なる革新的な新型セル構造を採用し、今回の微細化を可能にしたことを明らかにしました。両社の20nmプロセス技術では、業界初の平面セル構造を採用したことにより新しいプロセス技術特有の問題を克服し、旧世代と同等の性能と信頼性を実現しています。この平面セル構造はNAND型フラッシュメモリーの製造に初めてHi-Kメタルゲートを採用したことで、標準的なフローティング・ゲート・セルに見られる微細化の課題を克服することに成功しています。

　インテル コーポレーション 副社長 兼 NANDソリューション事業部長のロブ・クルークは、「インテルとマイクロンの共同開発により、両社はNANDテクノロジーで業界をリードしています。多くの“業界初”となる製品を提供するなか、今回、両社が、大容量、低コスト、高品質の20nmプロセス技術に基づくNANDフラッシュメモリーを提供できることを大変嬉しく思います。IMFTは平面セル構造とHi-Kメタルゲートを採用することで、NAND型フラッシュメモリーは技術性能がさらに向上し、素晴らしい新製品、サービス、フォームファクターを提供することが可能になります」と述べています。

　高性能NAND型フラッシュメモリーに対する需要には、データ・ストレージの成長、クラウドへの移行、ポータブル機器の急増という、相互に関連する3つの市場トレンドが大きく影響しています。デジタル・コンテンツの増加に伴って、ユーザーはデータを複数の機器で利用し、クラウドですべて同期することを期待しています。データを効率的に送信するため、サーバーはNAND技術がもたらす高性能・高密度のストレージを必要としており、携帯端末用ストレージはデータへのアクセス増大に伴って需要が増加しています。HDビデオはユーザー体験を損なわないために大容量ストレージが必要となるアプリケーションの一例です。これらの利用モデルは、コンテンツを受け取る携帯端末と、送信するストレージ・サーバーにおいて高性能・省スペース型ストレージに対する絶好のビジネス機会を作り出します。

　インテルとマイクロンは、20nmプロセス技術に基づく64Gb NAND型フラッシュメモリー製品の量産を今月開始し、2012年に128Gb製品への移行を進める計画です。128Gb製品のサンプル出荷は2012年1月に開始予定で、2012年前半には量産を開始する計画です。この計画が達成されれば、容量およびファブ全体の生産量はさらに増加し、両社の開発チームは複雑なストレージ・ソリューションの設計や将来のテクノロジーの改良に必要な専門性を発展させることができます。

※インテルおよびインテルのロゴは、米国およびその他の国におけるインテル コーポレーションの商標です。
※マイクロンおよびマイクロンのロゴは、マイクロン テクノロジー社の商標です。
※その他の社名、製品名などは、一般に各社の商標または登録商標です。
※情報は予告なく変更されることがあります。このニュースリリースには、20nmプロセス技術に基づく64Gbおよび128Gb NANDフラッシュメモリーに関する将来予測の記述が含まれています。実際の出来事や結果は、将来予測の記述に含まれる内容と大きく異なる可能性があります。マイクロンが米証券取引委員会に対し随時提出する連結ベースの書類、具体的にはマイクロン最新のフォーム「10-K」と「10-Q」をご覧ください。これらの書類は、マイクロンによる連結ベースの実際の結果と「将来予測」に記載されたものが大きく異なる原因となり得る重要な要因を含むと共に、それらを特定しています（「特定の要因」を参照）。当社は「将来予測」に示された期待は妥当だと考えておりますが、将来の結果、活動のレベル、実績、あるいは成果を保証するものではありません。

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